東京大學研發的新型記憶體，速度為何能比DRAM快上千倍？

Question

## 東京大學新型記憶體之所以能比DRAM快上千倍，關鍵在於它改用反鐵磁材料的超高速磁切換機制

Accepted Answer

東京大學團隊以錳錫材料打造非揮發性磁切換元件，能在四十皮秒內完成狀態翻轉，而一般動態隨機存取記憶體的切換多落在奈秒級，兩者相差約一千倍。這種速度差距不是單純把電路做得更小，而是把寫入方式從傳統電荷操作，改成直接操控磁結構的翻轉，因此反應時間大幅壓縮。