三星電子為了在晶圓代工領域與台積電競爭，宣布將於2031年正式量產1奈米先進製程，並採用獨特的「叉片式」（fork sheet）方法。此舉被視為三星搶攻1奈米時代主導權的重要策略。據報導，三星除了持續研發第二代和第三代2奈米GAA（全環閘極）製造技術外，更積極投入1奈米技術的研發，希望藉此在半導體製程上取得領先地位。
將製程從2奈米縮小到1奈米是一項極具挑戰性的任務，而三星選擇採用「叉片式」方法，旨在於相同面積內封裝更多的晶體管。證期雙照分析師翁偉捷指出，儘管台積電在1奈米製程的具體進展尚未明朗，但三星此舉無疑對台積電構成追趕壓力。三星預計在2030年實現1奈米製程的商轉，這代表三星有機會在技術上取得重大突破。然而，真正的關鍵在於良率能否提升，畢竟良率一直是三星與台積電競爭中的弱勢。目前尚待觀察的是，三星採用的「叉片式」方法是否能有效提升1奈米製程的良率，使其達到與台積電相近的水平。
翁偉捷分析，三星若能在2奈米以下製程大幅度提升良率，將對台積電構成實質威脅。這可能使三星重新成為台積電在先進製程上的重要競爭對手，進而影響台積電的估值及訂單狀況。另一方面，輝達執行長黃仁勳已證實，Groq 3 LPU晶片由三星代工生產。翁偉捷認為，不排除未來三星將獲得更多輝達等科技巨頭的訂單。儘管台積電在製程和良率方面具有優勢，但其價格也相對較高。從成本控管的角度來看，包括輝達在內的企業可能會考慮將部分訂單轉給三星或英特爾等廠商，以分散供應鏈風險。
三星積極發展1奈米製程並採用「叉片式」方法，顯示其挑戰台積電在晶圓代工領域領先地位的決心。儘管良率仍是三星需要克服的關鍵問題，但其技術突破和量產計畫已引起市場高度關注。未來，三星能否成功提升良率並贏得更多客戶的訂單，將是影響半導體產業格局的重要因素。
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